因为载波频率较低，故电流的高次谐波成分较大。这些高次谐波电流将在硅钢片中形成涡流，并使硅钢片相互间因产生电磁力而振动，并产生噪音。又因为载波频率处于人耳对声音较为敏感的区域，故电动机的电磁噪音较强。

　　因为电流中高次谐波的成分较大，故在50Hz时，电动机轴上的输出转矩与工频运行时相比，略有减小。

　　②导通时，基极正向驱动电流应有足够陡的前沿，并有一定幅度的强制电流，以加速开通过程，减小开通损耗。

　　③GTR导通期，基极电流都应使GTR处在临界饱和状态，这样既可降低导通饱和压降，又可缩短关断时间。

　　开关频率较高，采用快熔保护是无效的。一般采用缓冲电路。主要有RC缓冲电路、充放电型R、C、VD缓冲电路和阻止放电型R、C、VD缓冲电路三种形式，如图所示。

　　图a所示RC缓冲电路只适用于小容量的GTR(电流10 A以下)。图b所示充放电型R、C、VD缓冲电路用于大容量的GTR。图c所示阻止放电型R、C、VD缓冲电路，较常用于大容量GTR和高频开关电路，其最大优点是缓冲产生的损耗小。**

　　开关能力的方法。在这样的大功率电路中，存在的主要问题是布线。很高的开关速度能在很短的连接线上产生相当高的干扰电压。简单和优化的基极

　　，需要根据与放大系数、集电极电流之间的关系来调整基极电流等。与MOSFET显著不同的是，用于放大或导通/关断的偏置电流会流经

　　，加入足够的输入电压Vin(如10V)B：渐渐降低电压，到规格书规定的3V时停止。因仍保持ON状态，故该

　　，加入足够的输入电压Vin(如10V)B：渐渐降低电压，到规格书规定的3V时停止。因仍保持ON状态，故该

　　的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速

　　集电极电流 (IC(max)) 在500mA以下，最大集电极功率 (PC(max)) 不超过1W的

　　GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率

　　电路的设计上会采取一些加速措施。如下：加速电路一在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一

　　。达林顿通常用于需要低频高增益的地方。常见应用包括音频放大器输出级、功率调节器、电机和显示

　　l 输出电压可以采用脉宽调制方式，故输出电压为幅值等于直流电压的强脉冲序列。2 载波频率由于

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