eDRIVER SOI系列诞生了首批1200V SOI半桥产品，用于高功率应用，如商用HV、热泵、伺服驱动器、、泵和风机（高达10kW）。这个2ED132x系列有4个型号，分别为2种不同的封装的4种产品：DSO-16和DSO-20，均采用300mil宽体封装。它们不仅非常适合IGBT，也适合1200V SiC MOSFET。英飞凌SOI技术提供了出色的坚固性和抗扰性，以应对VS引脚上的负瞬态电压（SOI没有寄生
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科技（Infineon Technologies AG）开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为
的SiC型FET（JFET）“CoolSiC产品群”，并在2012年5月8日～10日于德国举行的电源技术展会“PCIM Europ
/450A碳化硅MOSFET功率模块上。凭借可提供每通道高达2.5W功率的板载隔离电源（且无需降低高达125°C的额定环境温度），该
集成了一个电源管理单元（PMU），并且采用了底部带有裸露焊盘的QFN-32封装，具有良好的导热性能。得益于此，该半导体器件易于集成，非常适用于各种电池供电
芯片，为摄像机、 消费类产品、 玩具和其他低压或者电池供电的运动控制类应用提供了集成的电机
本帖最后由 今夕何夕1213213 于 2022-1-14 17:45 编辑 各位大佬好，本人萌新一枚，最近做一个
是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
两个通道的能力。这种失配会增加关闭一个通道与打开另一个通道之间的停滞时间，从而导致效率下降。图
产品性能、和国外主流器件的参数比对、实际焊机测试比对展开讨论。1电路拓扑工业用焊接电源电路拓扑有
强度不足）以及系统级均会带来挑战：难以在两个 IGBT 中保持相等电流分布的同时确保更快的导通和关断。此参考设计使用增强型隔离式
，该参数通常为5nC）系统可靠性设计由于直流电机是感性负载，因此当Q1关断时，负载的电流不能突变，会转换到由Q
D类音频功率放大器，使用IRS20957S和IRF6785。该参考设计演示了如何使用IRS20957S D类音频控制
是独立制造的，从而限制了匹配两个通道的能力。这种失配会增加关闭一个通道与打开另一个通道之间的停滞时间，从而导致效率下降。图
电压。在下桥臂开关事件中，电路中的寄生电感可能导致输出电压VS降至地电压以下。发生这种情况时，上
制造的，从而限制了匹配两个通道的能力。这种失配会增加关闭一个通道与打开另一个通道之间的停滞时间，从而导致效率下降。图
有源米勒钳位选配，提升高速开关抗干扰能力中国，2018年8月3日——意法半导体的STGAP
N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 内置 VCC 和 VB 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S 逻辑输入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3
了 MP18831、MP18851 和 MP18871 之间的主要区别。表 1：MP188
通道的器件，此规格的表述方式相同，但被称为通道间偏斜。传播延迟偏斜通常不能在控制电路中予以补偿。图6显示了ADuM4121
的PWM信号。这种PWM将不足以使电源系统中使用的功率器件完全导通，因为其过驱电压一般超过标准CMOS/TTL逻辑电压。如此，请大神分析下面两种方式：
) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (
CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服
碳化硅（SiC）集成功率模块（IPM），并在今年大规模推出了SiC解决方案。CIPOS Maxi IPM IM828
科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了EiceDRIVER X3 Enhanced
工艺，实现了高可靠性。产生闩锁效应时，会流过大电流，可能会导致IC或功率元器件损坏。可以通过元件布局和制造工艺
科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）推出了最新的隔离EiceDRIVER 2L-SRC紧凑型（1
在1964年由C.W. Miller和P.H. Robinson提出，经过几十年的发展，逐渐成熟。
，8.5A2300V，包括短路保护(DESAT)，软关断和有源米勒钳位等保护功能，其短路保护功能适用于
